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| 制造商 | Texas Instruments |
| 制造商产品型号 | BQ4014YMB-120 |
| 库存数量 | 19623 |
| 系列 | |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 存储器格式 | NVSRAM |
| 技术 | NVSRAM（非易失性 SRAM） |
| 存储容量 | 2Mb（256K x 8） |
| 存储器接口 | 并联 |
| 时钟频率 | |
| 写周期时间 - 字，页 | 120ns |
| 访问时间 | 120 ns |
| 电压 - 供电 | 4.5V ~ 5.5V |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C（TA） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | |
| 供应商器件封装 | 32-DIP 模块（18.42x52.96） |
Texas Instruments
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